- 2025/04/30
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IPO銘柄の公開時の情報の蓄積場所+コメント募集。 倒産(民事再生/会社更生/破産)・上場廃止銘柄、2chで大炎上銘柄も、もちろん掲載し続けています。
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コード/6387 | 市場/店頭 | 売買単位/1000株 | 額面/50円 |
事業内容 | 半導体等電子部品製造装置の開発、製造、販売及び製品の保守メンテナンス | ||
基本事項 | http://www.samco.co.jp/index.html | ||
代表者名 | 辻理/S17年生 | ||
本店所在地 | 京都府京都市 | ||
設立年 | S54年 | ||
従業員数 | 97人(3/31現) | ||
株主数 | 32人(目論見書より) | ||
資本金 | 2億9538万7288円(12/5現) | ||
上場時発行済株式数 | 489万890株 | ||
公開株数 | 100万株(公募80万株、売出20万株) | ||
スケジュール | (注)変更になる場合もあります | ||
仮条件決定 | 5/11 | ||
ブックビルディング期間 | 5/15-5/21 | ||
公募価格決定 | 5/22 | ||
申込期間 | 5/23-5/25 | ||
払込期日 | 5/29 | ||
上場 | 5/30 | ||
シンジケート | 公開株数100万株 | 単位(万株) | 単位(%) |
主幹事証券 | 日興ソロモン・スミス・バーニー | 60 | 60 |
副幹事証券 | 新光 | 15 | 15 |
幹事証券 | 野村 | 7 | 7 |
幹事証券 | 大和SMBC | 6 | 6 |
幹事証券 | 国際 | 5 | 5 |
幹事証券 | いちよし | 3 | 3 |
幹事証券 | 丸三 | 2 | 2 |
幹事証券 | 西村 | 2 | 2 |
大株主 | 12/5現 | 単位(万株) | 単位(%) |
辻理 | 代表取締役社長 | 169.1 | 41.36 |
サムコエンジニアリング | 役員等が株式の過半数を出資する会社 | 64.3 | 15.73 |
辻猛 | 取締役 | 16.5 | 4.04 |
辻一美 | 代表取締社長の配偶者 | 14.5 | 3.56 |
従業員持株会 | 特別利害関係者等 | 12.2 | 3.00 |
立田利明 | 取締役 | 10.5 | 2.59 |
三和キャピタル | ベンチャーキャピタル | 10.5 | 2.58 |
ダイヤモンドキャピタル | ベンチャーキャピタル | 10.5 | 2.58 |
日興キャピタル | ベンチャーキャピタル | 9.0 | 2.21 |
新光キャピタル | ベンチャーキャピタル | 9.0 | 2.21 |
業績動向(百万円) | 売上高 | 経常利益 | 純利益 |
1996.7 | 1,483 | 133 | 70 |
1997.7 | 2,138 | 282 | 144 |
1998.7 | 2,328 | 300 | 158 |
1999.7 | 2,754 | 532 | 137 |
2000.7 | 3,136 | 598 | 327 |
予想 2001.7 | 3,950 | 839 | 465 |
1株当たりの数値(円) | EPS | BPS | 配当 |
1999.7 | 28.15 | 248.83 | 125 |
2000.7 | 66.97 | 335.40 | 100 |
予想2001.7 | 95.21 | 740.24 | 12.5 |
調達資金使途 | 借入金返済 | ||
連結会社 | なし | ||
参考類似企業 | 今期予想PER(5/1現在) | ||
6338 タカトリ | 15.2倍 | ||
6337 テセック | 7.3倍 | ||
6290 SES | 39.5倍 | ||
事業詳細 | |||
半導体電子部品製造装置の製造・販売を行なっている。「薄膜技術で世界の産業の貢献する」が主眼。日米英3ケ国で研究開発を展開。 SAMCOは、Semiconductors And Materials COmpany-半導体と材料開発の分野で躍進していくことから名付けられている。 超LSI、液晶、化合物半導体などの製造に不可欠なプラズマCVD装置やエッチング装置などの斬新な製品群を次々に開発し、世界中の技術者に提供、蓄積した技術、アプリケーションは多岐にわたりその分野を拡大している。薄膜形成技術をベースとする同社の技術は、半導体製造分野から地球環境分野へとその応用分野を拡大しいる。以下が主な品目になる。 1.CVD装置/減圧下の反応性ガスのプラズマ放電分解作用によって薄膜を形成する装置であり、半導体製造工程における絶縁膜、光学薄膜等を形成する装置。主として半導体等電子部品製造工程の前工程であるウエハー処理工程で使用される。 2.エッチング装置/減圧下の反応ガスプラズマと中性活性種の相乗効果を利用してエッチングを行なう装置。主として半導体等電子部品製造工程の前工程であるウエハー処理工程で使用される。 3.洗浄装置/減圧下の反応ガスプラズマもしくは紫外線とオゾン等を利用して基板表面の洗浄を行なう装置。主として半導体等電子部品製造工程の後工程である組立工程で使用される。 4.その他装置/高速熱処理装置や特注品等。 5.その他/部品、保守メンテナンス等。 前期売上高構成は、エッチング装置45.8%、CVD装置31.5%、洗浄装置11.9%、その他装置2.6%、その他8.2%。輸出比率は7.7%で大半はアジア向け。 直近の第三者割当増資額は修正値で522円。ベンチャーキャピタルにはロックアップがかからず。 |
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仮条件 | 公募値 | 初値 | |
2700円-3100円 | 3100円 | 3600円 |